放射周波数

製品

25dB ゲインの 1 ~ 12Ghz 低ノイズアンプ

タイプ:LNA-1/12-25 周波数:1-12Ghz

ゲイン:24dBMin ゲイン平坦性:±2.0dB Typ.

雑音指数:1.8dB Typ. VSWR:1.5Typ

P1dB 出力電力: 12dBm 最小;

Psat 出力電力: 14dBm 最小;

電源電圧:+12 V DC 電流:150mA

入力最大電力損傷なし:0 dBm 最大。 スプリアス:-60dBcTyp.

コネクタ:SMA-F インピーダンス:50Ω

 


製品詳細

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リーダー-mw 25dB ゲインの 1 ~ 12Ghz 低雑音アンプの紹介

優れた 25dB ゲインを備えた 1 ~ 12GHz の低ノイズ アンプ (LNA) を導入したこの高性能アンプは、超広帯域 (UWB) アプリケーション向けに設計されています。 SMA コネクタを備えているため、さまざまなシステムに簡単かつ安全に統合できます。 1 ~ 12GHz の広い動作周波数範囲を備えたこの LNA は、低ノイズ レベルを維持しながら広帯域増幅を必要とするアプリケーションに最適です。

このアンプが提供する 25dB ゲインは堅牢な信号増幅を保証し、高い S/N 比が重要なアプリケーションに最適です。 SMAコネクタの採用により汎用性が高まり、幅広い機器に簡単に接続できます。このアンプは、超広帯域 (UWB) アプリケーションに特に適しており、高度な通信システム、レーダー技術、その他の高周波アプリケーションに最適です。

この 1 ~ 12 GHz 低ノイズ アンプのコンパクトな設計と高性能により、研究および商用セットアップの両方で貴重なコンポーネントとなっています。電気通信、電子戦、または広帯域増幅を必要とするその他のアプリケーションに取り組んでいる場合でも、このアンプは技術要件を満たすために必要な信頼性と効率を提供します。高ゲインでこのような広い周波数範囲にわたって動作できるため、さまざまな高周波アプリケーションにとって多用途で不可欠なツールとなります。

リーダー-mw 仕様
いいえ。 パラメータ 最小 典型的な 最大 単位
1 周波数範囲 1

-

12

GHz

2

24

25

dB

4 ゲイン平坦性

±2.0

±2.8

db

5 雑音指数

-

1.8

2.1

dB

6 P1dB出力電力

12

dBM

7 Psat 出力電力

14

dBM

8 VSWR

1.5

2.0

-

9 供給電圧

+15

V

10 直流電流

150

mA

11 入力最大電力

0

dBm

12 コネクタ

SMA-F

電圧制御 コアコンデンサ
13 スプリアス

-60

dBc

14 インピーダンス

50

Ω

15 動作温度

-45℃~+85℃

16 重さ

50G

15 好みの仕上がり

黄色

備考:

リーダー-mw 環境仕様
動作温度 -40℃~+85℃
保管温度 -50℃~+85℃
振動 25gRMS (15 度 2KHz) 耐久性、各軸 1 時間
湿度 35℃で100%相対湿度、40℃で95%相対湿度
ショック 20G 11msec 半正弦波、3軸両方向
リーダー-mw 機械仕様
ハウジング アルミニウム
コネクタ ステンレス鋼
女性の連絡先: 金メッキベリリウムブロンズ
ロース 準拠した
重さ 0.1kg

 

 

外形図:

すべての寸法 (mm)

外形公差 ± 0.5(0.02)

取付穴公差 ±0.2(0.008)

すべてのコネクタ: SMA-メス

1-12
リーダー-mw テストデータ

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