放射周波数

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40dB ゲインの 0.03-1Ghz フロントエンド受信機低雑音パワーアンプ

タイプ:LNA-0.03/1-40 周波数:0.03-1Ghz

ゲイン:40dBMin ゲイン平坦度:±1.0dB Typ.

雑音指数:1.5dB Typ. VSWR:1.5Typ

P1dB 出力電力: 17dBm 最小;

Psat 出力電力: 18dBm 最小;

電源電圧:+12 V DC 電流:250mA

入力最大電力損傷なし: 10 dBm 最大。 スプリアス:-60dBcTyp.

コネクタ:SMA-F インピーダンス:50Ω


製品詳細

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リーダー-mw 40dB ゲインの 0.03 ~ 1Ghz 低雑音アンプの紹介

信号増幅技術における最新のイノベーション、つまり 40dB の優れたゲインを備えた 0.03 ~ 1GHz の低ノイズ アンプを紹介します。高性能と信頼性を必要とするアプリケーション向けに設計されたこのアンプは、低周波環境で弱い信号を増強するための完璧なソリューションです。

この低ノイズアンプは、0.03 GHz ~ 1 GHz の周波数範囲を持ち、通信、放送、科学研究などのさまざまなアプリケーションで優れたパフォーマンスを発揮するように設計されています。低い雑音指数により信号の減衰が最小限に抑えられ、よりクリアで正確な信号伝送が実現します。

このアンプの優れた機能の 1 つは、入力信号の強度を大幅に強化する優れた 40dB ゲインです。これにより、感度の向上と信号対雑音比の向上が必要なシステムに最適です。 RF 信号、オーディオ、またはその他の低周波アプリケーションを処理する場合でも、このアンプは最適なパフォーマンスを確保するために必要な電力を供給します。

さらに、0.03 ~ 1 GHz の低ノイズ アンプはコンパクトな設計なので、貴重なスペースを占有することなく既存のシステムに簡単に統合できます。頑丈な構造により耐久性と寿命が保証され、商業および産業用途に信頼できる選択肢となります。

要約すると、40dB ゲインを備えた 0.03 ~ 1GHz の低ノイズ アンプは、低周波アプリケーションでの信号品質とパフォーマンスの向上を目指す人にとって最先端のソリューションです。この最先端のアンプで明瞭さと信頼性の違いを体験し、プロジェクトを新たな高みへ導きましょう。

リーダー-mw 仕様
いいえ。 パラメータ 最小 典型的な 最大 単位
1 周波数範囲 0.03

-

1

GHz

2

40

42

dB

4 ゲイン平坦性

±1.0

db

5 雑音指数

-

1.5

dB

6 P1dB出力電力

17

dBM

7 Psat 出力電力

18

dBM

8 VSWR

1.5

-

9 供給電圧

+12

V

10 直流電流

250

mA

11 入力最大電力

10

dBm

12 コネクタ

SMA-F

13 スプリアス

-60

dBc

14 インピーダンス

50

Ω

15 動作温度

-45℃~+85℃

16 重さ

70G

15 ご希望の仕上げ色

スライバー

備考:

リーダー-mw 環境仕様
動作温度 -45℃~+85℃
保管温度 -50℃~+85℃
振動 25gRMS (15 度 2KHz) 耐久性、各軸 1 時間
湿度 35℃で100%相対湿度、40℃で95%相対湿度
ショック 20G 11msec 半正弦波、3軸両方向
リーダー-mw 機械仕様
ハウジング アルミニウム
コネクタ 真鍮
女性の連絡先: 金メッキベリリウムブロンズ
ロース 準拠した
重さ 70g

 

 

外形図:

すべての寸法 (mm)

外形公差 ± 0.5(0.02)

取付穴公差 ±0.2(0.008)

すべてのコネクタ: SMA-メス

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リーダー-mw テストデータ

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